DSEI-120-12A.
DSEI-120-12A.
FRED diode (Fast Recovery Epitaxial Diode) Ixys, nominal parameters VRRM 1200V, IFAVM109A.
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Ixys
Ixys propone un’ampissima gamma di diodi, Mosfet, Thyristor e IGBT di potenza.
Sono altresì disponibili moduli che combinano più semiconduttori, per un assemblaggio più rapido.
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Ixys
Il diodo a valanga DSA9-16F è caratterizzato da una VRRM = 1600 V e IF(AV)M = 11 A
La connessione a vite permette un facile montaggio.
Ixys
Diodo raddrizzatore UGE1112AY4 caratterizzato da VRRM = 8000 V e IF(AV)M = 4.2 A
Costruzione sigillata in epoxy. Facile montaggio tramite la connessione a vite.
A stock per consegna immediata.
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